سلیکن کاربائیڈ SiC

تفصیل

سلیکن کاربائیڈ ویفر ایس آئی سی, ایم او سی وی ڈی طریقہ سے انتہائی سخت، مصنوعی طور پر تیار کردہ سلکان اور کاربن کا کرسٹل مرکب ہے، اور اس کی نمائشاس کا منفرد وسیع بینڈ گیپ اور تھرمل توسیع کے کم گتانک، اعلی آپریٹنگ درجہ حرارت، اچھی گرمی کی کھپت، کم سوئچنگ اور ترسیل کے نقصانات، زیادہ توانائی کی بچت، اعلی تھرمل چالکتا اور مضبوط الیکٹرک فیلڈ خرابی کی طاقت، نیز زیادہ مرتکز کرنٹ کی دیگر سازگار خصوصیات۔ حالت.ویسٹرن من میٹلز (SC) کارپوریشن میں Silicon Carbide SiC 2″ 3' 4″ اور 6″ (50mm، 75mm، 100mm، 150mm) قطر کے سائز میں فراہم کی جا سکتی ہے، جس میں صنعتی کے لیے n-ٹائپ، نیم موصلیت یا ڈمی ویفر شامل ہے۔ اور لیبارٹری ایپلی کیشن۔ کوئی بھی حسب ضرورت تصریح ہمارے دنیا بھر کے صارفین کے لیے بہترین حل کے لیے ہے۔

ایپلی کیشنز

اعلیٰ معیار کا 4H/6H سلکان کاربائیڈ SiC ویفر بہت سے جدید ترین تیز رفتار، اعلی درجہ حرارت اور ہائی وولٹیج الیکٹرانک آلات جیسے Schottky diodes اور SBD، ہائی پاور سوئچنگ MOSFETs اور JFETs وغیرہ کی تیاری کے لیے بہترین ہے۔ موصل گیٹ بائپولر ٹرانجسٹرز اور تھائرسٹرس کی تحقیق اور ترقی میں بھی ایک مطلوبہ مواد۔نئی نسل کے ایک شاندار سیمی کنڈکٹنگ میٹریل کے طور پر، سلکان کاربائیڈ SiC ویفر ہائی پاور ایل ای ڈی کے اجزاء میں ایک موثر ہیٹ اسپریڈر کے طور پر بھی کام کرتا ہے، یا مستقبل میں ہدف بنائے گئے سائنسی ریسرچ کے حق میں بڑھتے ہوئے GaN پرت کے لیے ایک مستحکم اور مقبول سبسٹریٹ کے طور پر کام کرتا ہے۔

ابھی انکوائری کریں۔

تفصیلات

ٹیگز

تکنیکی وضاحتیں

سلیکن کاربائیڈ SiC

سلیکن کاربائیڈ SiCویسٹرن من میٹلز (SC) کارپوریشن میں صنعتی اور لیبارٹری ایپلی کیشنز کے لیے 2″ 3' 4″ اور 6″ (50mm، 75mm، 100mm، 150mm) قطر کے سائز میں این ٹائپ، نیم موصل یا ڈمی ویفر کے ساتھ فراہم کیا جاسکتا ہے۔ .کوئی بھی اپنی مرضی کے مطابق تفصیلات دنیا بھر میں ہمارے صارفین کے لیے بہترین حل کے لیے ہے۔

لکیری فارمولہ	SiC
سالماتی وزن	40.1
کرسٹل ڈھانچہ	Wurtzite
ظہور	ٹھوس
میلٹنگ پوائنٹ	3103±40K
نقطہ کھولاؤ	N / A
300K پر کثافت	3.21 گرام/سینٹی میٹر³
انرجی گیپ	(3.00-3.23) eV
اندرونی مزاحمتی صلاحیت	>1E5 Ω-سینٹی میٹر
CAS نمبر	409-21-2
ای سی نمبر	206-991-8

نہیں.	اشیاء	معیاری تفصیلات
1	سی سی سائز	2"	3"	4"	6"
2	قطر ملی میٹر	50.8 0.38	76.2 0.38	100 0.5	150 0.5
3	نمو کا طریقہ	MOCVD	MOCVD	MOCVD	MOCVD
4	چالکتا کی قسم	4H-N، 6H-N، 4H-SI، 6H-SI
5	مزاحمتی Ω-سینٹی میٹر	0.015-0.028;0.02-0.1;>1E5
6	واقفیت	0°±0.5°;4.0° <1120> کی طرف
7	موٹائی μm	330±25	330±25	(350-500)±25	(350-500)±25
8	پرائمری فلیٹ لوکیشن	<1-100>±5°	<1-100>±5°	<1-100>±5°	<1-100>±5°
9	پرائمری فلیٹ کی لمبائی ملی میٹر	16±1.7	22.2±3.2	32.5±2	47.5±2.5
10	سیکنڈری فلیٹ لوکیشن	سلکان کا چہرہ اوپر: 90°، پرائم فلیٹ سے گھڑی کی سمت ±5.0°
11	ثانوی فلیٹ لمبائی ملی میٹر	8±1.7	11.2±1.5	18±2	22±2.5
12	TTV μm زیادہ سے زیادہ	15	15	15	15
13	کمان μm زیادہ سے زیادہ	40	40	40	40
14	وارپ μm زیادہ سے زیادہ	60	60	60	60
15	کنارے کا اخراج زیادہ سے زیادہ ملی میٹر	1	2	3	3
16	مائکرو پائپ کثافت سینٹی میٹر-2	<5، صنعتی؛<15، لیب؛<50، ڈمی
17	سندچیوتی سینٹی میٹر-2	<3000، صنعتی؛<20000، لیب؛<500000، ڈمی
18	سطح کی کھردری nm زیادہ سے زیادہ	1 (پالش)، 0.5 (CMP)
19	دراڑیں	کوئی نہیں، صنعتی گریڈ کے لیے
20	ہیکساگونل پلیٹس	کوئی نہیں، صنعتی گریڈ کے لیے
21	خروںچ	≤3 ملی میٹر، کل لمبائی سبسٹریٹ قطر سے کم ہے۔
22	ایج چپس	کوئی نہیں، صنعتی گریڈ کے لیے
23	پیکنگ	سنگل ویفر کنٹینر ایلومینیم کمپوزٹ بیگ میں بند ہے۔

سلکان کاربائیڈ SiC 4H/6Hاعلیٰ معیار کا ویفر بہت سے جدید ترین تیز رفتار، اعلی درجہ حرارت اور ہائی وولٹیج الیکٹرانک آلات جیسے Schottky diodes اور SBD، ہائی پاور سوئچنگ MOSFETs اور JFETs وغیرہ کی تیاری کے لیے بہترین ہے۔ یہ ایک مطلوبہ مواد بھی ہے۔ موصل گیٹ بائپولر ٹرانجسٹرز اور تھائرسٹرس کی تحقیق اور ترقی۔نئی نسل کے ایک شاندار سیمی کنڈکٹنگ میٹریل کے طور پر، سلکان کاربائیڈ SiC ویفر ہائی پاور ایل ای ڈی کے اجزاء میں ایک موثر ہیٹ اسپریڈر کے طور پر بھی کام کرتا ہے، یا مستقبل میں ہدف بنائے گئے سائنسی ریسرچ کے حق میں بڑھتے ہوئے GaN پرت کے لیے ایک مستحکم اور مقبول سبسٹریٹ کے طور پر کام کرتا ہے۔