Indium Antimonide InSb

تفصیل

Indium Antimonide InSb, گروپ III–V کرسٹل مرکبات کا ایک سیمی کنڈکٹر جس میں زنک-بلینڈ جالی ساخت ہے، 6N 7N ہائی پیوریٹی انڈیم اور اینٹیمونی عناصر کے ذریعے ترکیب کیا جاتا ہے، اور VGF طریقہ سے یا Liquid Encapsulated Czochralski LEC طریقہ سے ایک سے زیادہ زون ریفائنڈ پولی سٹیل لائن سے تیار کیا جاتا ہے۔ جس کو کاٹا جا سکتا ہے اور بعد میں ویفر اور بلاک میں گھڑا جا سکتا ہے۔InSb ایک ڈائریکٹ ٹرانزیشن سیمی کنڈکٹر ہے جس میں کمرے کے درجہ حرارت پر 0.17eV کا ایک تنگ بینڈ گیپ، 1–5μm طول موج کے لیے اعلیٰ حساسیت اور انتہائی ہائی ہال موبلٹی ہے۔ویسٹرن من میٹلز (SC) کارپوریشن میں انڈیم اینٹیمونائیڈ InSb n-type، p-type اور نیم موصلی چالکتا 1″ 2″ 3″ اور 4″ (30mm، 50mm، 75mm، 100mm) قطر، واقفیت < کے سائز میں پیش کی جا سکتی ہے۔ 111> یا <100>، اور جیسا کہ کٹ، لیپڈ، اینچڈ اور پالش کی ویفر سطح کی تکمیل کے ساتھ۔Indium Antimonide InSb ٹارگٹ Dia.50-80mm کے ساتھ un-doped n-type بھی دستیاب ہے۔دریں اثنا، پولی کرسٹل لائن انڈیم اینٹیمونائڈ InSb (ملٹی کرسٹل InSb) جس کے سائز کے فاسد گانٹھ، یا خالی (15-40) x (40-80) ملی میٹر، اور D30-80 ملی میٹر کے گول بار کو بھی کامل حل کی درخواست پر اپنی مرضی کے مطابق بنایا جاتا ہے۔

درخواست

Indium Antimonide InSb بہت سے جدید ترین اجزاء اور آلات کی تیاری کے لیے ایک مثالی سبسٹریٹ ہے، جیسے کہ جدید تھرمل امیجنگ سلوشن، FLIR سسٹم، ہال عنصر اور مقناطیسی اثر عنصر، انفراریڈ ہومنگ میزائل گائیڈنس سسٹم، انتہائی جوابی انفراریڈ فوٹو ڈیٹیکٹر سینسر۔ ، اعلی درستگی والے مقناطیسی اور روٹری مزاحمتی سینسر، فوکل پلانر اری، اور ٹیرا ہرٹز تابکاری کے ماخذ کے طور پر اور انفراریڈ فلکیاتی خلائی دوربین وغیرہ میں بھی۔

ابھی انکوائری کریں۔

تفصیلات

ٹیگز

تکنیکی وضاحتیں

انڈیم اینٹیمونائیڈ

InSb

انڈیم اینٹیمونائیڈ سبسٹریٹ(InSb سبسٹریٹ، InSb Wafer) ویسٹرن من میٹلز (SC) کارپوریشن میں n-type یا p-type 1" 2" 3" اور 4" (30, 50, 75 اور 100mm) قطر، واقفیت <111> یا <100> کے سائز میں پیش کی جا سکتی ہے، اور انڈیم اینٹیمونائیڈ سنگل کرسٹل بار (InSb Monocrystal bar) کو بھی درخواست پر فراہم کیا جا سکتا ہے۔

انڈیم اینٹیمونائیڈPاولی کرسٹل لائن (InSb پولی کرسٹل لائن، یا ملٹی کرسٹل InSb) بے ترتیب گانٹھ کے سائز کے ساتھ، یا خالی (15-40)x (40-80) ملی میٹر بھی کامل حل کی درخواست پر اپنی مرضی کے مطابق بنائے جاتے ہیں۔

دریں اثنا، انڈیم اینٹیمونائڈ ٹارگٹ (InSb ٹارگٹ) Dia.50-80mm کا بغیر ڈوپڈ n-type کے ساتھ بھی دستیاب ہے۔

نہیں.	اشیاء	معیاری تفصیلات
1	انڈیم اینٹیمونائیڈ سبسٹریٹ	2"	3"	4"
2	قطر ملی میٹر	50.5±0.5	76.2±0.5	100±0.5
3	نمو کا طریقہ	ایل ای سی	ایل ای سی	ایل ای سی
4	چالکتا	P-type/Zn,Ge doped, N-type/Te-doped, Un-doped
5	واقفیت	(100)±0.5°، (111)±0.5°
6	موٹائی μm	500±25	600±25	800±25
7	واقفیت فلیٹ ملی میٹر	16±2	22±1	32.5±1
8	شناخت فلیٹ ملی میٹر	8±1	11±1	18±1
9	نقل و حرکت cm2/Vs	1-7E5 N/un-doped, 3E5-2E4 N/Te-doped, 8-0.6E3 یا ≤8E13 P/Ge-doped
10	کیریئر ارتکاز cm-3	6E13-3E14 N/un-doped, 3E14-2E18 N/Te-doped, 1E14-9E17 یا <1E14 P/Ge-doped
11	TTV μm زیادہ سے زیادہ	15	15	15
12	کمان μm زیادہ سے زیادہ	15	15	15
13	وارپ μm زیادہ سے زیادہ	20	20	20
14	Dislocation Density cm-2 زیادہ سے زیادہ	50	50	50
15	سطح ختم	P/E، P/P	P/E، P/P	P/E، P/P
16	پیکنگ	سنگل ویفر کنٹینر ایلومینیم بیگ میں بند ہے۔

نہیں.	اشیاء	معیاری تفصیلات
نہیں.	اشیاء	Iاینڈیم اینٹیمونائڈ پولی کرسٹل لائن	انڈیم اینٹیمونائیڈ ٹارگٹ
1	چالکتا	انڈوپڈ	انڈوپڈ
2	کیریئر حراستی سینٹی میٹر^-3	6E13-3E14	1.9-2.1E16
3	موبلٹی سینٹی میٹر²/بمقابلہ	5-7E5	6.9-7.9E4
4	سائز	15-40x40-80 ملی میٹر	ڈی (50-80) ملی میٹر
5	پیکنگ	جامع ایلومینیم بیگ میں، باہر کارٹن باکس

لکیری فارمولہ	InSb
سالماتی وزن	236.58
کرسٹل ڈھانچہ	زنک بلینڈ
ظہور	گہرے بھوری رنگ کے دھاتی کرسٹل
میلٹنگ پوائنٹ	527 °C
نقطہ کھولاؤ	N / A
300K پر کثافت	5.78 گرام/سینٹی میٹر³
انرجی گیپ	0.17 eV
اندرونی مزاحمتی صلاحیت	4E(-3) Ω-سینٹی میٹر
CAS نمبر	1312-41-0
ای سی نمبر	215-192-3

Indium Antimonide InSbویفر بہت سے جدید ترین اجزاء اور آلات کی تیاری کے لیے ایک مثالی سبسٹریٹ ہے، جیسے کہ جدید تھرمل امیجنگ سلوشن، FLIR سسٹم، ہال ایلیمنٹ اور میگنیٹورسسٹنس اثر عنصر، انفراریڈ ہومنگ میزائل گائیڈنس سسٹم، انتہائی ریسپانسیو انفراریڈ فوٹو ڈیٹیکٹر سینسر، ہائی -صحت سے متعلق مقناطیسی اور روٹری ریزسٹویٹی سینسر، فوکل پلانر اری، اور ٹیرا ہرٹز ریڈی ایشن سورس کے طور پر اور انفراریڈ فلکیاتی خلائی دوربین وغیرہ میں بھی۔