گیلیم آرسنائیڈ GaAs

تفصیل

گیلیم آرسنائیڈGaAs ایک ھے گروپ III-V کا ڈائریکٹ بینڈ گیپ کمپاؤنڈ سیمی کنڈکٹر جو کم از کم 6N 7N ہائی پیوریٹی گیلیم اور آرسینک عنصر کے ذریعے ترکیب کیا گیا ہے، اور اعلی پیوریٹی پولی کرسٹل لائن گیلیم آرسنائیڈ سے VGF یا LEC عمل کے ذریعے اگایا گیا کرسٹل، سرمئی رنگ کی ظاہری شکل، زنک بلینڈ کی ساخت کے ساتھ کیوبک کرسٹل۔کاربن، سلیکون، ٹیلوریم یا زنک کی ڈوپنگ کے ساتھ بالترتیب n-type یا p-type اور نیم موصلی چالکتا حاصل کرنے کے لیے، ایک بیلناکار InAs کرسٹل کو کاٹ کر خالی اور ویفر میں جیسا کہ کٹ، اینچ، پالش یا ایپی میں بنایا جا سکتا ہے۔ -ایم بی ای یا ایم او سی وی ڈی ایپیٹیکسیل نمو کے لیے تیار۔Gallium Arsenide wafer بنیادی طور پر الیکٹرانک آلات جیسے کہ انفراریڈ لائٹ ایمیٹنگ ڈائیوڈز، لیزر ڈائیوڈس، آپٹیکل ونڈوز، فیلڈ ایفیکٹ ٹرانزسٹر FETs، ڈیجیٹل ICs کے لکیری اور سولر سیلز کو بنانے کے لیے استعمال کیا جاتا ہے۔GaAs کے اجزاء الٹرا ہائی ریڈیو فریکوئنسی اور تیز الیکٹرانک سوئچنگ ایپلی کیشن، کمزور سگنل ایمپلیفیکیشن ایپلی کیشنز میں کارآمد ہیں۔مزید برآں، Gallium Arsenide سبسٹریٹ RF اجزاء، مائکروویو فریکوئنسی اور یک سنگی ICs، اور LEDs آلات کی تیاری کے لیے ایک مثالی مواد ہے جو آپٹیکل کمیونیکیشنز اور کنٹرول سسٹمز میں اس کی سیچوریٹنگ ہال کی نقل و حرکت، ہائی پاور اور درجہ حرارت کے استحکام کے لیے ہے۔

ترسیل

ویسٹرن من میٹلز (SC) کارپوریشن میں Gallium Arsenide GaAs کو پولی کرسٹل گانٹھ یا سنگل کرسٹل ویفر کے طور پر 2” 3” 4” اور 6” (50 ملی میٹر، 50 ملی میٹر) کے سائز میں بطور کٹ، اینچڈ، پالش یا ایپی ریڈی ویفر کے طور پر فراہم کیا جا سکتا ہے۔ 75mm, 100mm, 150mm) قطر، p-type، n-type یا نیم موصلی چالکتا، اور <111> یا <100> واقفیت کے ساتھ۔اپنی مرضی کے مطابق تفصیلات دنیا بھر میں ہمارے صارفین کے لیے بہترین حل کے لیے ہیں۔

ابھی انکوائری کریں۔

تفصیلات

ٹیگز

تکنیکی وضاحتیں

گیلیم آرسنائیڈ

GaAs

گیلیم آرسنائیڈ GaAsویفرز بنیادی طور پر الیکٹرانک آلات جیسے کہ انفراریڈ لائٹ ایمیٹنگ ڈائیوڈس، لیزر ڈائیوڈس، آپٹیکل ونڈوز، فیلڈ ایفیکٹ ٹرانزسٹر ایف ای ٹی، ڈیجیٹل آئی سی کے لکیری اور سولر سیلز کو بنانے کے لیے استعمال ہوتے ہیں۔GaAs کے اجزاء الٹرا ہائی ریڈیو فریکوئنسی اور تیز الیکٹرانک سوئچنگ ایپلی کیشن، کمزور سگنل ایمپلیفیکیشن ایپلی کیشنز میں کارآمد ہیں۔مزید برآں، گیلیم آرسنائیڈ سبسٹریٹ RF اجزاء، مائیکرو ویو فریکوئنسی اور یک سنگی ICs، اور LEDs آلات کی تیاری کے لیے ایک مثالی مواد ہے جو آپٹیکل کمیونیکیشنز اور کنٹرول سسٹم میں اس کی سیچوریٹنگ ہال کی نقل و حرکت، ہائی پاور اور درجہ حرارت کے استحکام کے لیے ہے۔

نہیں.	اشیاء	معیاری تفصیلات
1	سائز	2"	3"	4"	6"
2	قطر ملی میٹر	50.8±0.3	76.2±0.3	100±0.5	150±0.5
3	نمو کا طریقہ	وی جی ایف	وی جی ایف	وی جی ایف	وی جی ایف
4	چالکتا کی قسم	N-Type/Si یا Te-doped, P-Type/Zn-doped, Semi-Insulating/Un-doped
5	واقفیت	(100)±0.5°	(100)±0.5°	(100)±0.5°	(100)±0.5°
6	موٹائی μm	350±25	625±25	625±25	650±25
7	واقفیت فلیٹ ملی میٹر	17±1	22±1	32±1	نشان
8	شناخت فلیٹ ملی میٹر	7±1	12±1	18±1	-
9	مزاحمتی Ω-سینٹی میٹر	(1-9)E(-3) p-type یا n-type کے لیے، (1-10)E8 نیم موصلیت کے لیے
10	نقل و حرکت cm2/vs	پی قسم کے لیے 50-120، (1-2.5) این-ٹائپ کے لیے E3، نیم موصلیت کے لیے ≥4000
11	کیریئر ارتکاز cm-3	(5-50)E18 p-type کے لیے، (0.8-4)E18 N-type کے لیے
12	TTV μm زیادہ سے زیادہ	10	10	10	10
13	کمان μm زیادہ سے زیادہ	30	30	30	30
14	وارپ μm زیادہ سے زیادہ	30	30	30	30
15	EPD cm-2	5000	5000	5000	5000
16	سطح ختم	P/E، P/P	P/E، P/P	P/E، P/P	P/E، P/P
17	پیکنگ	سنگل ویفر کنٹینر ایلومینیم کمپوزٹ بیگ میں بند ہے۔
18	ریمارکس	مکینیکل گریڈ GaAs ویفر بھی درخواست پر دستیاب ہے۔

لکیری فارمولہ	GaAs
سالماتی وزن	144.64
کرسٹل ڈھانچہ	زنک بلینڈ
ظہور	گرے کرسٹل لائن ٹھوس
میلٹنگ پوائنٹ	1400°C، 2550°F
نقطہ کھولاؤ	N / A
300K پر کثافت	5.32 گرام/سینٹی میٹر³
انرجی گیپ	1.424 eV
اندرونی مزاحمتی صلاحیت	3.3E8 Ω-سینٹی میٹر
CAS نمبر	1303-00-0
ای سی نمبر	215-114-8

گیلیم آرسنائیڈ GaAsویسٹرن من میٹلز (ایس سی) کارپوریشن میں پولی کرسٹل لائن لمپ یا سنگل کرسٹل ویفر کے طور پر 2” 3” 4” اور 6” (50mm، 75mm، 100mm) کے سائز میں بطور کٹ، اینچڈ، پالش، یا ایپی ریڈی ویفر فراہم کیا جا سکتا ہے۔ , 150mm) قطر، p-type، n-type یا نیم موصلی چالکتا، اور <111> یا <100> واقفیت کے ساتھ۔اپنی مرضی کے مطابق تفصیلات دنیا بھر میں ہمارے صارفین کے لیے بہترین حل کے لیے ہیں۔