Epitaxial (EPI) Silicon Wafer Featured Image

ایپیٹیکسیل (ای پی آئی) سلیکون ویفر

تفصیل

ایپیٹیکسیل سلکان ویفریا ای پی آئی سیلیکون ویفر، سیمی کنڈکٹنگ کرسٹل پرت کا ایک ویفر ہے جو سیلیکون سبسٹریٹ کی پالش کرسٹل سطح پر اپیٹیکسیل نمو کے ذریعے جمع ہوتا ہے۔ایپیٹیکسیل پرت یکساں ایپیٹیکسیل گروتھ کے ذریعہ سبسٹریٹ کے طور پر ایک ہی مواد ہوسکتی ہے، یا متفاوت اپیٹیکسیل گروتھ کے ذریعہ مخصوص مطلوبہ معیار کے ساتھ ایک غیر ملکی پرت، جو اپیٹیکسیل گروتھ ٹیکنالوجی کو اپناتی ہے جس میں کیمیائی بخارات جمع کرنے والے CVD، مائع فیز ایپیٹیکسی LPE، نیز مالیکیولر بیم شامل ہیں۔ epitaxy MBE کم عیب کثافت اور اچھی سطح کی کھردری کے اعلی ترین معیار کو حاصل کرنے کے لیے۔سیلیکون ایپیٹیکسیل ویفرز بنیادی طور پر جدید سیمی کنڈکٹر ڈیوائسز، انتہائی مربوط سیمی کنڈکٹر عناصر ICs، ڈسکریٹ اور پاور ڈیوائسز کی تیاری میں استعمال ہوتے ہیں، جو ڈائیوڈ اور ٹرانزسٹر کے عنصر یا IC کے لیے سبسٹریٹ جیسے بائپولر ٹائپ، MOS اور BiCMOS ڈیوائسز کے لیے بھی استعمال ہوتے ہیں۔مزید برآں، ایک سے زیادہ پرت ایپیٹیکسیل اور موٹی فلم EPI سلکان ویفرز اکثر مائیکرو الیکٹرانکس، فوٹوونکس اور فوٹو وولٹک ایپلی کیشن میں استعمال ہوتے ہیں۔

ترسیل

Epitaxial Silicon Wafers یا EPI Silicon Wafers at Western Minmetals (SC) کارپوریشن 4, 5 اور 6 انچ (100mm, 125mm, 150mm قطر) کے سائز میں پیش کیے جا سکتے ہیں، واقفیت <100>, <111>، epilayer resistivity <1ohm کے ساتھ۔ -سینٹی میٹر یا 150 اوہم سینٹی میٹر تک، اور ایپلیئر کی موٹائی <1um یا 150um تک، اینچڈ یا LTO ٹریٹمنٹ کی سطح کی تکمیل میں مختلف تقاضوں کو پورا کرنے کے لیے، باہر کارٹن باکس کے ساتھ کیسٹ میں پیک کیا گیا ہے، یا بہترین حل کے لیے حسب ضرورت تفصیلات کے مطابق .

ابھی انکوائری کریں۔

تفصیلات

ٹیگز

تکنیکی وضاحتیں

ایپی سلیکون ویفر

ایپیٹیکسیل سلکان ویفرزیا ویسٹرن من میٹلز (SC) کارپوریشن میں EPI سلکان ویفر کو 4، 5 اور 6 انچ (100 ملی میٹر، 125 ملی میٹر، 150 ملی میٹر قطر) کے سائز میں پیش کیا جا سکتا ہے، اورینٹیشن <100>، <111>، <1 اوہم-سینٹی میٹر یا ایپلیئر مزاحمتی صلاحیت کے ساتھ۔ 150ohm-cm تک، اور epilayer کی موٹائی <1um یا 150um تک، اینچڈ یا LTO ٹریٹمنٹ کی سطح کی تکمیل میں مختلف تقاضوں کو پورا کرنے کے لیے، باہر کارٹن باکس کے ساتھ کیسٹ میں پیک کیا جاتا ہے، یا بہترین حل کے لیے حسب ضرورت تفصیلات کے طور پر۔

علامت	Si
اٹامک نمبر	14
جوہری وزن	28.09
عنصر کا زمرہ	Metalloid
گروپ، مدت، بلاک	14، 3، ص
کرسٹل ڈھانچہ	ہیرا
رنگ	گہرا سرمئی
میلٹنگ پوائنٹ	1414°C، 1687.15 K
نقطہ کھولاؤ	3265°C، 3538.15 K
300K پر کثافت	2.329 گرام/سینٹی میٹر³
اندرونی مزاحمتی صلاحیت	3.2E5 Ω-سینٹی میٹر
CAS نمبر	7440-21-3
ای سی نمبر	231-130-8

نہیں.	اشیاء	معیاری تفصیلات
1	عمومی خصوصیات
1-1	سائز	4"	5"	6"
1-2	قطر ملی میٹر	100±0.5	125±0.5	150±0.5
1-3	واقفیت	<100>، <111>	<100>، <111>	<100>، <111>
2	ایپیٹیکسیل پرت کی خصوصیات
2-1	نمو کا طریقہ	سی وی ڈی	سی وی ڈی	سی وی ڈی
2-2	چالکتا کی قسم	P یا P+، N/ یا N+	P یا P+، N/ یا N+	P یا P+، N/ یا N+
2-3	موٹائی μm	2.5-120	2.5-120	2.5-120
2-4	موٹائی کی یکسانیت	≤3%	≤3%	≤3%
2-5	مزاحمتی Ω-سینٹی میٹر	0.1-50	0.1-50	0.1-50
2-6	مزاحمتی یکسانیت	≤3%	≤5%	-
2-7	سندچیوتی سینٹی میٹر-2	<10	<10	<10
2-8	سطح کا معیار	کوئی چپ، کہرا یا سنتری کا چھلکا باقی نہیں رہتا، وغیرہ۔
3	سبسٹریٹ کی خصوصیات کو ہینڈل کریں۔
3-1	نمو کا طریقہ	CZ	CZ	CZ
3-2	چالکتا کی قسم	P/N	P/N	P/N
3-3	موٹائی μm	525-675	525-675	525-675
3-4	موٹائی یکسانیت زیادہ سے زیادہ	3%	3%	3%
3-5	مزاحمتی Ω-سینٹی میٹر	ضرورت کے مطابق	ضرورت کے مطابق	ضرورت کے مطابق
3-6	مزاحمتی یکسانیت	5%	5%	5%
3-7	TTV μm زیادہ سے زیادہ	10	10	10
3-8	کمان μm زیادہ سے زیادہ	30	30	30
3-9	وارپ μm زیادہ سے زیادہ	30	30	30
3-10	EPD cm-2 زیادہ سے زیادہ	100	100	100
3-11	ایج پروفائل	گول	گول	گول
3-12	سطح کا معیار	کوئی چپ، کہرا یا سنتری کا چھلکا باقی نہیں رہتا، وغیرہ۔
3-13	پیچھے کی طرف ختم	Etched یا LTO (5000±500Å)
4	پیکنگ	اندر کیسٹ، باہر کارٹن باکس۔

سلیکن ایپیٹیکسیل ویفرزبنیادی طور پر جدید سیمی کنڈکٹر ڈیوائسز، انتہائی مربوط سیمی کنڈکٹر عناصر ICs، ڈسکریٹ اور پاور ڈیوائسز کی تیاری میں استعمال ہوتے ہیں، جو ڈائیوڈ اور ٹرانزسٹر کے عنصر یا IC کے لیے سبسٹریٹ جیسے بائپولر ٹائپ، MOS اور BiCMOS ڈیوائسز کے لیے بھی استعمال ہوتے ہیں۔مزید برآں، ایک سے زیادہ پرت ایپیٹیکسیل اور موٹی فلم EPI سلکان ویفرز اکثر مائیکرو الیکٹرانکس، فوٹوونکس اور فوٹو وولٹک ایپلی کیشن میں استعمال ہوتے ہیں۔