انڈیم فاسفائیڈ InP

تفصیل

انڈیم فاسفائیڈ InP,CAS No.22398-80-7، پگھلنے کا نقطہ 1600°C، III-V خاندان کا ایک بائنری کمپاؤنڈ سیمی کنڈکٹر، ایک چہرے پر مرکوز کیوبک "زنک بلینڈ" کرسٹل ڈھانچہ، جو کہ زیادہ تر III-V سیمی کنڈکٹرز سے ملتا جلتا ہے، سے ترکیب کیا جاتا ہے۔ 6N 7N ہائی پیوریٹی انڈیم اور فاسفورس عنصر، اور LEC یا VGF تکنیک کے ذریعہ سنگل کرسٹل میں اضافہ ہوا ہے۔انڈیم فاسفائیڈ کرسٹل کو 6″ (150 ملی میٹر) قطر تک مزید ویفر فیبریکیشن کے لیے n-type، p-type یا نیم موصل چالکتا کے لیے ڈوپ کیا جاتا ہے، جس میں اس کا براہ راست بینڈ گیپ، الیکٹران اور سوراخوں کی اعلیٰ نقل و حرکت اور موثر تھرمل خصوصیات ہیں۔ چالکتاویسٹرن من میٹلز (SC) کارپوریشن میں انڈیم فاسفائیڈ InP Wafer پرائم یا ٹیسٹ گریڈ 2” 3” 4” اور 6” (150mm تک) قطر کے سائز میں p-type، n-type اور نیم موصلی چالکتا کے ساتھ پیش کیا جا سکتا ہے، اورینٹیشن <111> یا <100> اور موٹائی 350-625um جس میں اینچڈ اور پالش یا ایپی ریڈی پروسیس کی سطح ختم ہوتی ہے۔دریں اثنا انڈیم فاسفائیڈ سنگل کرسٹل انگوٹ 2-6″ درخواست پر دستیاب ہے۔پولی کرسٹل لائن انڈیم فاسفائیڈ InP یا ملٹی کرسٹل InP انگوٹ جس کا سائز D(60-75) x لمبائی (180-400) mm 2.5-6.0kg ہے جس میں 6E15 یا 6E15-3E16 سے کم کیرئیر ارتکاز بھی دستیاب ہے۔کامل حل حاصل کرنے کی درخواست پر دستیاب کوئی بھی حسب ضرورت تفصیلات۔

ایپلی کیشنز

Indium Phosphide InP wafer وسیع پیمانے پر آپٹو الیکٹرانک اجزاء، اعلی طاقت اور اعلی تعدد والے الیکٹرانک آلات کی تیاری کے لیے استعمال کیا جاتا ہے، بطور ذیلی epitaxial indium-gallium-arsenide (InGaAs) پر مبنی آپٹو-الیکٹرانک آلات کے لیے۔انڈیم فاسفائیڈ آپٹیکل فائبر کمیونیکیشنز، مائیکرو ویو پاور سورس ڈیوائسز، مائیکرو ویو ایمپلیفائرز اور گیٹ ایف ای ٹیز ڈیوائسز، ہائی اسپیڈ ماڈیولٹرز اور فوٹو ڈیٹیکٹرز، اور سیٹلائٹ نیویگیشن وغیرہ میں انتہائی امید افزا روشنی کے ذرائع کے لیے بھی تیاری میں ہے۔

ابھی انکوائری کریں۔

تفصیلات

ٹیگز

تکنیکی وضاحتیں

انڈیم فاسفائیڈ InP

انڈیم فاسفائیڈ سنگل کرسٹلویسٹرن من میٹلز (ایس سی) کارپوریشن میں ویفر (آئی این پی کرسٹل انگوٹ یا ویفر) کو 2” 3” 4” اور 6” (150mm تک) قطر کے سائز میں p-type، n-type اور نیم موصلی چالکتا کے ساتھ پیش کیا جا سکتا ہے، اورینٹیشن <111> یا <100> اور موٹائی 350-625um جس میں اینچڈ اور پالش یا ایپی ریڈی پروسیس کی سطح ختم ہوتی ہے۔

انڈیم فاسفائیڈ پولی کرسٹل لائنیا D(60-75) x L(180-400) ملی میٹر 2.5-6.0kg کے سائز میں ملٹی کرسٹل انگوٹ (InP پولی انگوٹ) 6E15 یا 6E15-3E16 سے کم کیریئر کنسنٹریشن کے ساتھ دستیاب ہے۔کامل حل حاصل کرنے کی درخواست پر دستیاب کوئی بھی حسب ضرورت تفصیلات۔

نہیں.	اشیاء	معیاری تفصیلات
1	انڈیم فاسفائیڈ سنگل کرسٹل	2"	3"	4"
2	قطر ملی میٹر	50.8±0.5	76.2±0.5	100±0.5
3	نمو کا طریقہ	وی جی ایف	وی جی ایف	وی جی ایف
4	چالکتا	P/Zn-doped، N/(S-doped یا un-doped)، نیم موصلیت
5	واقفیت	(100)±0.5°، (111)±0.5°
6	موٹائی μm	350±25	600±25	600±25
7	واقفیت فلیٹ ملی میٹر	16±2	22±1	32.5±1
8	شناخت فلیٹ ملی میٹر	8±1	11±1	18±1
9	نقل و حرکت cm2/Vs	50-70, >2000, (1.5-4)E3
10	کیریئر ارتکاز cm-3	(0.6-6)E18, ≤3E16
11	TTV μm زیادہ سے زیادہ	10	10	10
12	کمان μm زیادہ سے زیادہ	10	10	10
13	وارپ μm زیادہ سے زیادہ	15	15	15
14	Dislocation Density cm-2 زیادہ سے زیادہ	500	1000	2000
15	سطح ختم	P/E، P/P	P/E، P/P	P/E، P/P
16	پیکنگ	سنگل ویفر کنٹینر ایلومینیم کمپوزٹ بیگ میں بند ہے۔

نہیں.	اشیاء	معیاری تفصیلات
1	انڈیم فاسفائیڈ پنڈ	پولی کرسٹل لائن یا ملٹی کرسٹل انگوٹ
2	کرسٹل سائز	D(60-75) x L(180-400)mm
3	وزن فی کرسٹل انگوٹ	2.5-6.0 کلوگرام
4	نقل و حرکت	≥3500 سینٹی میٹر²/VS
5	کیریئر حراستی	≤6E15، یا 6E15-3E16 سینٹی میٹر^-3
6	پیکنگ	ہر InP کرسٹل انگوٹ مہر بند پلاسٹک بیگ میں ہے، ایک کارٹن باکس میں 2-3 انگوٹ۔

لکیری فارمولہ	InP
سالماتی وزن	145.79
کرسٹل ڈھانچہ	زنک بلینڈ
ظہور	کرسٹل
میلٹنگ پوائنٹ	1062 °C
نقطہ کھولاؤ	N / A
300K پر کثافت	4.81 گرام/سینٹی میٹر³
انرجی گیپ	1.344 eV
اندرونی مزاحمتی صلاحیت	8.6E7 Ω-سینٹی میٹر
CAS نمبر	22398-80-7
ای سی نمبر	244-959-5

انڈیم فاسفائیڈ ان پی ویفرایپیٹیکسیل انڈیم-گیلیم-آرسنائڈ (InGaAs) پر مبنی آپٹو الیکٹرانک آلات کے سبسٹریٹ کے طور پر، آپٹو الیکٹرانک اجزاء، اعلی طاقت اور اعلی تعدد والے الیکٹرانک آلات کی تیاری کے لیے وسیع پیمانے پر استعمال کیا جاتا ہے۔انڈیم فاسفائیڈ آپٹیکل فائبر کمیونیکیشنز، مائیکرو ویو پاور سورس ڈیوائسز، مائیکرو ویو ایمپلیفائرز اور گیٹ ایف ای ٹیز ڈیوائسز، ہائی اسپیڈ ماڈیولٹرز اور فوٹو ڈیٹیکٹرز، اور سیٹلائٹ نیویگیشن وغیرہ میں انتہائی امید افزا روشنی کے ذرائع کے لیے بھی تیاری میں ہے۔