انڈیم آرسنائیڈ InAs

تفصیل

انڈیم آرسنائیڈ InAs کرسٹل گروپ III-V کا ایک کمپاؤنڈ سیمی کنڈکٹر ہے جس کی ترکیب کم از کم 6N 7N خالص انڈیم اور آرسینک عنصر سے کی گئی ہے اور VGF یا Liquid Encapsulated Czochralski (LEC) کے ذریعے اگائے جانے والے سنگل کرسٹل، سرمئی رنگ کی ظاہری شکل، کیوبک کرسٹل کیوبک کرسٹل ساخت کے ساتھ۔ ، پگھلنے کا نقطہ 942 ° C۔انڈیم آرسنائیڈ بینڈ گیپ ایک براہ راست منتقلی ہے جو گیلیم آرسنائیڈ کی طرح ہے، اور ممنوعہ بینڈ کی چوڑائی 0.45eV (300K) ہے۔InAs کرسٹل میں برقی پیرامیٹرز کی اعلی یکسانیت، مستقل جالی، ہائی الیکٹران کی نقل و حرکت اور کم خرابی کی کثافت ہوتی ہے۔VGF یا LEC کے ذریعہ اگائے جانے والے ایک بیلناکار InAs کرسٹل کو کاٹا اور MBE یا MOCVD ایپیٹیکسیل گروتھ کے لئے ویفر کے طور پر کٹ، اینچڈ، پالش یا ایپی ریڈی میں بنایا جا سکتا ہے۔

ایپلی کیشنز

انڈیم آرسنائیڈ کرسٹل ویفر ہال ڈیوائسز اور مقناطیسی فیلڈ سینسر بنانے کے لیے ایک بہترین سبسٹریٹ ہے جو اس کی اعلیٰ ہال کی نقل و حرکت لیکن تنگ انرجی بینڈ گیپ کے لیے ہے، جو زیادہ طاقت والے ایپلی کیشنز میں استعمال ہونے والی 1–3.8 µm کی طول موج کی حد کے ساتھ انفراریڈ ڈٹیکٹر کی تعمیر کے لیے ایک مثالی مواد ہے۔ کمرے کے درجہ حرارت پر، نیز وسط طول موج کے انفراریڈ سپر جالی لیزرز، درمیانی انفراریڈ ایل ای ڈی ڈیوائسز اس کی 2-14 μm طول موج کی حد کے لیے فیبریکیشن۔مزید برآں، InAs متفاوت InGaAs، InAsSb، InAsPSb اور InNAsSb یا AlGaSb سپر جالی ڈھانچے وغیرہ کو مزید سپورٹ کرنے کے لیے ایک مثالی سبسٹریٹ ہے۔

ابھی انکوائری کریں۔

تفصیلات

ٹیگز

تکنیکی وضاحتیں

انڈیم آرسنائیڈ

InAs

انڈیم آرسنائیڈ کرسٹل ویفرہال ڈیوائسز اور مقناطیسی فیلڈ سینسر بنانے کے لیے اس کی اعلیٰ ہال کی نقل و حرکت کے لیے ایک بہترین سبسٹریٹ ہے لیکن تنگ انرجی بینڈ گیپ، 1–3.8 µm کی طول موج کی حد کے ساتھ انفراریڈ ڈیٹیکٹرز کی تعمیر کے لیے ایک مثالی مواد ہے جو کمرے کے درجہ حرارت پر زیادہ پاور ایپلی کیشنز میں استعمال ہوتا ہے، اس کے ساتھ ساتھ درمیانی طول موج کے انفراریڈ سپر جالی لیزرز، درمیانی انفراریڈ ایل ای ڈی ڈیوائسز اس کی 2-14 μm طول موج کی حد کے لیے فیبریکیشن۔مزید برآں، InAs متفاوت InGaAs، InAsSb، InAsPSb اور InNAsSb یا AlGaSb سپر جالی ڈھانچے وغیرہ کو مزید سپورٹ کرنے کے لیے ایک مثالی سبسٹریٹ ہے۔

نہیں.	اشیاء	معیاری تفصیلات
1	سائز	2"	3"	4"
2	قطر ملی میٹر	50.5±0.5	76.2±0.5	100±0.5
3	نمو کا طریقہ	ایل ای سی	ایل ای سی	ایل ای سی
4	چالکتا	P-type/Zn-doped, N-type/S-doped, Un-doped
5	واقفیت	(100)±0.5°، (111)±0.5°
6	موٹائی μm	500±25	600±25	800±25
7	واقفیت فلیٹ ملی میٹر	16±2	22±2	32±2
8	شناخت فلیٹ ملی میٹر	8±1	11±1	18±1
9	نقل و حرکت cm2/Vs	60-300، ≥2000 یا حسب ضرورت
10	کیریئر ارتکاز cm-3	(3-80)E17 یا ≤5E16
11	TTV μm زیادہ سے زیادہ	10	10	10
12	کمان μm زیادہ سے زیادہ	10	10	10
13	وارپ μm زیادہ سے زیادہ	15	15	15
14	Dislocation Density cm-2 زیادہ سے زیادہ	1000	2000	5000
15	سطح ختم	P/E، P/P	P/E، P/P	P/E، P/P
16	پیکنگ	سنگل ویفر کنٹینر ایلومینیم بیگ میں بند ہے۔

لکیری فارمولہ	InAs
سالماتی وزن	189.74
کرسٹل ڈھانچہ	زنک بلینڈ
ظہور	گرے کرسٹل لائن ٹھوس
میلٹنگ پوائنٹ	(936-942) °C
نقطہ کھولاؤ	N / A
300K پر کثافت	5.67 گرام/سینٹی میٹر³
انرجی گیپ	0.354 eV
اندرونی مزاحمتی صلاحیت	0.16 Ω-سینٹی میٹر
CAS نمبر	1303-11-3
ای سی نمبر	215-115-3

انڈیم آرسنائیڈ InAsویسٹرن من میٹلز (SC) کارپوریشن میں پولی کرسٹل لائن لمپ یا سنگل کرسٹل کے طور پر کٹ، اینچڈ، پالش، یا ایپی ریڈی ویفرز 2” 3” اور 4” (50mm, 75mm,100mm) قطر کے سائز میں فراہم کیے جا سکتے ہیں، اور p-type، n-type یا un-doped conductivity اور <111> یا <100> واقفیت۔اپنی مرضی کے مطابق تفصیلات دنیا بھر میں ہمارے صارفین کے لیے بہترین حل کے لیے ہیں۔