گیلیم اینٹیمونائڈ GaSb

تفصیل

گیلیم اینٹیمونائڈ GaSb، زنک-بلینڈ جالی ساخت کے ساتھ گروپ III–V مرکبات کا ایک سیمی کنڈکٹر، 6N 7N ہائی پیوریٹی گیلیم اور اینٹیمونی عناصر کے ذریعہ ترکیب کیا جاتا ہے، اور ایل ای سی طریقہ سے کرسٹل میں اگایا جاتا ہے جس سے سمت میں منجمد پولی کرسٹل لائن انگوٹ یا VGF طریقہ EPD <1000cm کے ساتھ ہوتا ہے۔^-3.GaSb ویفر کو کاٹا جا سکتا ہے اور بعد میں سنگل کرسٹل انگوٹ سے بنا یا جا سکتا ہے جس میں برقی پیرامیٹرز کی اعلی یکسانیت، منفرد اور مستقل جالی ساخت، اور کم خرابی کی کثافت، دیگر غیر دھاتی مرکبات کے مقابلے میں سب سے زیادہ ریفریکٹیو انڈیکس۔GaSb کو درست یا آف واقفیت، کم یا زیادہ ڈوپڈ ارتکاز، اچھی سطح کی تکمیل اور MBE یا MOCVD ایپیٹیکسیل گروتھ کے لیے وسیع انتخاب کے ساتھ پروسیس کیا جا سکتا ہے۔Gallium Antimonide سبسٹریٹ کو انتہائی جدید فوٹو آپٹک اور آپٹو الیکٹرانک ایپلی کیشنز میں استعمال کیا جا رہا ہے جیسے کہ فوٹو ڈیٹیکٹرز کی فیبریکیشنز، لمبی عمر کے ساتھ انفراریڈ ڈیٹیکٹر، اعلیٰ حساسیت اور قابل اعتماد، فوٹو ریزسٹ جزو، انفراریڈ ایل ای ڈی اور لیزرز، ٹرانجسٹر، تھرمل سیل فوٹو وولٹاک۔ اور تھرمو فوٹو وولٹک نظام۔

ترسیل

ویسٹرن من میٹلز (SC) کارپوریشن میں گیلیم اینٹیمونائیڈ GaSb کو 2” 3” اور 4” (50mm، 75mm، 100mm) قطر، واقفیت <111> کے سائز میں n-type، p-type اور undoped semi-insulating conductivity کے ساتھ پیش کیا جا سکتا ہے۔ یا <100>، اور جیسا کہ کٹ، اینچڈ، پالش یا اعلیٰ معیار کے ایپیٹیکسی ریڈی فنش کے ویفر سطح کے فنش کے ساتھ۔تمام سلائسیں انفرادی طور پر شناخت کے لیے لیزر لکھی ہوئی ہیں۔دریں اثنا، پولی کرسٹل لائن گیلیم اینٹیمونائڈ GaSb گانٹھ کو بھی کامل حل کی درخواست پر اپنی مرضی کے مطابق بنایا گیا ہے۔

ابھی انکوائری کریں۔

تفصیلات

ٹیگز

تکنیکی وضاحتیں

گیلیم اینٹیمونائیڈ

GaSb

گیلیم اینٹیمونائڈ GaSbسبسٹریٹ کو انتہائی جدید فوٹو آپٹک اور آپٹو الیکٹرانک ایپلی کیشنز میں استعمال کیا جا رہا ہے جیسے فوٹو ڈیٹیکٹر کی فیبریکیشنز، لمبی عمر کے ساتھ انفراریڈ ڈیٹیکٹر، اعلیٰ حساسیت اور قابل اعتماد، فوٹو ریسسٹ جزو، انفراریڈ ایل ای ڈی اور لیزرز، ٹرانزسٹر، تھرمل فوٹو وولٹک سیل اور تھرمو۔ فوٹو وولٹک نظام

	اشیاء	معیاری تفصیلات
1	سائز	2"	3"	4"
2	قطر ملی میٹر	50.5±0.5	76.2±0.5	100±0.5
3	نمو کا طریقہ	ایل ای سی	ایل ای سی	ایل ای سی
4	چالکتا	P-type/Zn-doped, Un-doped, N-type/Te-doped
5	واقفیت	(100)±0.5°، (111)±0.5°
6	موٹائی μm	500±25	600±25	800±25
7	واقفیت فلیٹ ملی میٹر	16±2	22±1	32.5±1
8	شناخت فلیٹ ملی میٹر	8±1	11±1	18±1
9	نقل و حرکت cm2/Vs	200-3500 یا ضرورت کے مطابق
10	کیریئر ارتکاز cm-3	(1-100)E17 یا حسب ضرورت
11	TTV μm زیادہ سے زیادہ	15	15	15
12	کمان μm زیادہ سے زیادہ	15	15	15
13	وارپ μm زیادہ سے زیادہ	20	20	20
14	Dislocation Density cm-2 زیادہ سے زیادہ	500	1000	2000
15	سطح ختم	P/E، P/P	P/E، P/P	P/E، P/P
16	پیکنگ	سنگل ویفر کنٹینر ایلومینیم بیگ میں بند ہے۔

لکیری فارمولہ	GaSb
سالماتی وزن	191.48
کرسٹل ڈھانچہ	زنک بلینڈ
ظہور	گرے کرسٹل لائن ٹھوس
میلٹنگ پوائنٹ	710 °C
نقطہ کھولاؤ	N / A
300K پر کثافت	5.61 گرام/سینٹی میٹر³
انرجی گیپ	0.726 eV
اندرونی مزاحمتی صلاحیت	1E3 Ω-سینٹی میٹر
CAS نمبر	12064-03-8
ای سی نمبر	235-058-8

گیلیم اینٹیمونائڈ GaSbویسٹرن من میٹلز (ایس سی) کارپوریشن میں 2”3” اور 4” (50mm، 75mm، 100mm) قطر، واقفیت <111> یا <100 کے سائز میں n-type، p-type اور undoped semi-insulating conductivity کے ساتھ پیش کیا جا سکتا ہے۔ >، اور جیسا کہ کٹ، اینچڈ، پالش یا اعلیٰ معیار کی ایپیٹیکسی ریڈی فنشز کے ویفر سطح کے فنش کے ساتھ۔تمام سلائسیں انفرادی طور پر شناخت کے لیے لیزر لکھی ہوئی ہیں۔دریں اثنا، پولی کرسٹل لائن گیلیم اینٹیمونائڈ GaSb گانٹھ کو بھی کامل حل کی درخواست پر اپنی مرضی کے مطابق بنایا گیا ہے۔