گیلیم فاسفائیڈ GaP

تفصیل

Gallium Phosphide GaP، دوسرے III-V مرکب مواد کی طرح منفرد برقی خصوصیات کا ایک اہم سیمی کنڈکٹر، تھرموڈینامک طور پر مستحکم کیوبک ZB ڈھانچے میں کرسٹلائز کرتا ہے، ایک نارنجی پیلے نیم شفاف کرسٹل مواد ہے جس کا بالواسطہ بینڈ گیپ 2.26 eV (300K) ہے، جو 6N 7N ہائی پیوریٹی گیلیم اور فاسفورس سے ترکیب کیا گیا، اور مائع انکیپسولیٹڈ زوکرالسکی (LEC) تکنیک کے ذریعہ سنگل کرسٹل میں اگایا گیا۔گیلیم فاسفائیڈ کرسٹل کو n قسم کے سیمی کنڈکٹر حاصل کرنے کے لیے سلفر یا ٹیلوریم ڈوپ کیا جاتا ہے، اور مطلوبہ ویفر میں مزید گھڑنے کے لیے زنک کو پی قسم کی چالکتا کے طور پر ڈوپ کیا جاتا ہے، جس میں آپٹیکل سسٹم، الیکٹرانک اور دیگر آپٹیکل الیکٹرانکس آلات میں استعمال ہوتا ہے۔سنگل کرسٹل گیپ ویفر آپ کے ایل پی ای، ایم او سی وی ڈی اور ایم بی ای ایپیٹیکسیل ایپلی کیشن کے لیے ایپی ریڈی تیار کیا جا سکتا ہے۔ویسٹرن من میٹلز (SC) کارپوریشن میں اعلیٰ معیار کا سنگل کرسٹل Gallium phosphide GaP wafer p-type، n-type یا undoped conductivity 2″اور 3″ (50mm، 75mm قطر)، واقفیت <100>,<111 کے سائز میں پیش کیا جا سکتا ہے۔ جیسا کہ کٹ، پالش یا ایپی ریڈی عمل کی سطح ختم کے ساتھ۔

ایپلی کیشنز

روشنی کے اخراج میں کم کرنٹ اور اعلی کارکردگی کے ساتھ، گیلیم فاسفائیڈ گیپ ویفر آپٹیکل ڈسپلے سسٹمز کے لیے موزوں ہے جیسا کہ کم لاگت والے سرخ، نارنجی اور سبز روشنی خارج کرنے والے ڈائیوڈز (ایل ای ڈی) اور پیلے اور سبز ایل سی ڈی وغیرہ کی بیک لائٹ اور ایل ای ڈی چپس کی تیاری کے ساتھ۔ کم سے درمیانے درجے کی چمک، GaP کو انفراریڈ سینسرز اور مانیٹرنگ کیمروں کی تیاری کے لیے بنیادی سبسٹریٹ کے طور پر بھی وسیع پیمانے پر اپنایا جاتا ہے۔

ابھی انکوائری کریں۔

تفصیلات

ٹیگز

تکنیکی وضاحتیں

گیلیم فاسفائیڈ GaP

ویسٹرن من میٹلز (SC) کارپوریشن میں اعلیٰ معیار کا سنگل کرسٹل گیلیم فاسفائیڈ GaP ویفر یا سبسٹریٹ p-type، n-type یا undoped conductivity 2″ اور 3″ (50mm, 75mm) قطر میں پیش کیا جا سکتا ہے، واقفیت <100> , <111> ایلومینیم کمپوزٹ بیگ میں بند سنگل ویفر کنٹینر میں بطور کٹ، لیپڈ، اینچڈ، پالش شدہ، ایپی ریڈی پروسیس شدہ سطح کی تکمیل کے ساتھ یا کامل حل کے لیے حسب ضرورت تفصیلات کے طور پر۔

نہیں.	اشیاء	معیاری تفصیلات
1	GaP سائز	2"
2	قطر ملی میٹر	50.8 ± 0.5
3	نمو کا طریقہ	ایل ای سی
4	چالکتا کی قسم	P-type/Zn-doped, N-type/(S, Si,te)-ڈوپڈ، ان ڈوپڈ
5	واقفیت	<1 1 1> ± 0.5°
6	موٹائی μm	(300-400) ± 20
7	مزاحمتی Ω-سینٹی میٹر	0.003-0.3
8	اورینٹیشن فلیٹ (OF) ملی میٹر	16±1
9	شناختی فلیٹ (IF) ملی میٹر	8±1
10	ہال موبلٹی cm2/Vs منٹ	100
11	کیریئر حراستی سینٹی میٹر^-3	(2-20) E17
12	سندچیوتی کثافت سینٹی میٹر^-2زیادہ سے زیادہ	2.00E+05
13	سطح ختم	P/E، P/P
14	پیکنگ	سنگل ویفر کنٹینر ایلومینیم کمپوزٹ بیگ میں بند، باہر کارٹن باکس

لکیری فارمولہ	جی اے پی
سالماتی وزن	100.7
کرسٹل ڈھانچہ	زنک بلینڈ
ظاہری شکل	اورنج ٹھوس
میلٹنگ پوائنٹ	N / A
نقطہ کھولاؤ	N / A
300K پر کثافت	4.14 گرام/سینٹی میٹر³
انرجی گیپ	2.26 eV
اندرونی مزاحمتی صلاحیت	N / A
CAS نمبر	12063-98-8
ای سی نمبر	235-057-2

گیلیم فاسفائیڈ گیپ ویفرروشنی کے اخراج میں کم کرنٹ اور اعلی کارکردگی کے ساتھ، آپٹیکل ڈسپلے سسٹمز کے لیے موزوں ہے جیسا کہ کم لاگت والے سرخ، نارنجی اور سبز روشنی خارج کرنے والے ڈائیوڈز (ایل ای ڈی) اور پیلے اور سبز LCD وغیرہ کی بیک لائٹ اور کم سے درمیانے درجے کے ساتھ ایل ای ڈی چپس تیار کرنے والے چمک، GaP کو انفراریڈ سینسرز اور مانیٹرنگ کیمروں کی تیاری کے لیے بنیادی سبسٹریٹ کے طور پر بھی وسیع پیمانے پر اپنایا جاتا ہے۔